金融界2024年12月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，安徽格恩半导体有限公司请求一项名为“一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构”的专利，公开号 CN 119171181 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本发明提出一种氮化镓基大功率绿光激光器的芯片结构，包含衬底和外延层，外延层设置于所述衬底的上层，外延层的榜首腔面外表镀有减反射层，第二腔面外表镀有高反射层，减反射层包含在榜首腔面外表顺次镀设的榜首子减反射层、多层第二子减反射层和多层第三子减反射层，且多层第二子减反射层和多层第三子减反射层顺次替换设置构成周期性结构，外延层中具有榜首谷值电场强度和榜首峰值电场强度，榜首子减反射层与榜首层第二子减反射层之间的界面区域具有第二峰值电场强度，外延层的榜首腔面与榜首子减反射层的界面区域之间的电场强度介于榜首谷值电场强度和第二峰值电场强度之间。本发明可以下降大功率绿光激光器的阈值电流密度和提高斜率功率。